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我国首批层三维闪存芯片年内将量产

2019-03-08 21:41:39

我国首批32层三维NAND闪存芯片年内将量产

作者:陈俊来源:新华

新华社武汉4月11日电(陈俊)位于武汉中国光谷的国家存储器基地项目芯片生产机台11日正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产,从而填补我国主流存储器领域空白。

我国首批层三维闪存芯片年内将量产

目前,我国通用存储器基本全部依赖进口,国家存储器基地于2017年成功研发我国首颗32层三维NAND闪存芯片。这颗耗资10亿美元、由1000人的团队历时2年自主研发的芯片,是我国在制造工艺上接近国际高端水平的主流芯片,有望使我国进入全球存储芯片梯队,有力提升中国芯在国际市场的地位。

据介绍,国家存储器基地项目2016年由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设,总投资240亿美元,项目一期总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

紫光集团董事长赵伟国表示,今年10月设备将点亮投产,预计2019年底64层闪存产品将实现爬坡量产。未来十年,紫光集团计划至少还将投资1000亿美元,相当于平均每年投入100亿美元,进一步拉近我国在高端芯片领域与先进国家的距离。

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